9月23日消息，根據處理器龍頭英特爾(intel) 官方公布的信息指出，英特爾將在美國亞利桑那州興建的兩座新晶圓廠，預計9月24 日進行動土奠基儀式，屆時英特爾CEO Pat Gelsinger 將會親自到場出席活動。

　　今年年3月，在主題為“英特爾發力：以工程技術創未來”的全球直播活動中，英特爾CEO Pat Gelsinger 分享了IDM 2.0 的愿景，重啟晶圓代工業務，為大規模擴大產能，英特爾還宣布投資約200 億美元在美國亞利桑那州的Octillo 園區興建兩座新的晶圓廠。

　　該計劃在經過了半年的準備時間之后，英特爾正式宣布將于9 月24 日舉行新晶圓廠建造的動土奠基儀式，Pat Gelsinger 將與當地主要政府官員出席這次活動，這也將是美國亞利桑那州歷史上最大規模的私營企業投資計劃。

　　英特爾表示，憑借其IDM 2.0 的策略，英特爾將致力于投資制造能力，以支持全球對半導體大幅成長的需求。而公司計劃在亞利桑那州的Ocotillo 園區建造的兩座新的先進制程晶圓廠將支持英特爾產品不斷擴大的需求，并為代工客戶提供承諾的產能。

　　因為呼應美國要讓半導體制造重返美國的計劃，晶圓代工龍頭臺積電就率先宣布，將在美國亞歷桑納州鳳凰城斥資120 億美元興建以5nm制程為主的晶圓廠。臺積電日前指出，目前該廠已進入動土施工階段，而相關員工也來臺積電極進行訓練當中，而依照規劃時程，該廠將在2024 年開始進行大規模的量產。

　　而除了臺積電之外，三星也已確定在美國興建第二座晶圓廠，新廠地點將落腳美國德州三星第一座晶圓廠的附近，預計斥資170 億美元的金額。另外，該廠的最新市場消息，三星將導入閘極全環電晶體(Gate-all-around，GAA)技術，并自2026 年開始進一步量產，企圖以技術填補量產時間的落后，企圖彎道超車臺積電。

　　隨著英特爾于9月24 日將舉行新晶圓廠動土奠基典禮，也意味著英特爾提升制造產能及在晶圓代工領域的布局的加速，未來在晶圓代工市場的競爭將更加激烈。
　　（邯鄲建站）